ИС на МОП-структурах

См. также в других словарях:

• Электроника Б3-24 — Электроника Б3 24  восьмиразрядный микрокалькулятор с естественной формой представления запятой. Выпускался с 1976 года. Калькулятор выполняет четыре арифметические операции, операции с памятью, изменение знака числа, полуавтоматическое… …   Википедия

• Гигантское магнетосопротивление — Гигантское магнетосопротивление, гигантское магнитосопротивление[1], ГМС (англ. Giant magnetoresistance, GMR)  квантовомеханический эффект, наблюдаемый в тонких металлических плёнках, состоящих из чередующихся ферромагнитных и… …   Википедия

• ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА — твердотельное устройство, содержащее группу приборов и их соединения (связи), выполненное на единой пластине (подложке). В И. с. интегрируются пассивные элементы (ёмкости, сопротивления) и активные элементы, действие к рых основано на разл. физ.… …   Физическая энциклопедия

• Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… …   Википедия

• Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… …   Википедия

• Эффект поля — в МОП структуре Эффект поля (англ. Field effect) в широком смысле состоит в управлении эле …   Википедия